MOSFET NexFET™ da 40 V a 100 V, per progetti di alimentazione e controllo di motori ad alta corrente

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100VNexFET_chip_24Mar14A integrazione della gamma NexFET, Texas Instruments presenta14 MOSFET di potenza in package TO-220 e SON per tensioni in ingresso da 40 V a 100 V. I NexFET ad alta efficienza comprendono dispositivi a canale N da 40, 60, 80 e 100 V che offrono eccellenti prestazioni termiche in un’ampia gamma di applicazioni per l’alimentazione e il controllo di motori ad alta corrente.

Minima resistenza tra drain e source
Due dei nuovi dispositivi NexFET da 80 V e 100 V offrono la minima resistenza attualmente raggiungibile in un package TO-220 senza sacrificare il livello di carica sul gate, assicurando in tal modo ai progettisti un’efficienza superiore di conversione della potenza in presenza di correnti più alte. Il modello CSD19506 supporta 2,0 milliohm di Rds(on) con una tensione in ingresso fino a 80 V, mentre il CSD19536 arriva a 2,3 milliohm di Rds(on) con un ingresso di 100 V. Entrambi i prodotti hanno package in plastica con effetto valanga elevato per supportare applicazioni di controllo motori con forti sollecitazioni. I progettisti possono scegliere facilmente i nuovi prodotti e simulare i progetti accedendo al premiato sistema WEBENCH® online design tool di TI.

Moduli di valutazione di facile uso
TI ha presentato anche diversi moduli di valutazione basati sui prodotti NexFET da 60 V, tutti già disponibili per ordini sul TI eStore™:

  • Pre-azionamento per motore passo-passo: il modulo di valutazione DRV8711EVM è basato sul controller per motori passo-passo DRV8711 abbinato ai dispositivi NexFET per azionare un motore passo-passo bipolare ad alta corrente o due motori CC a spazzole.
  • Motor Drive BoosterPack: il kit BOOSTXL-DRV8301 è uno stadio di azionamento CC brushless trifase a 10 A basato sul pre-azionamento DRV8301, progettato per chi sta studiando le tecniche di controllo brushless senza sensori e la progettazione dello stadio di azionamento.
  • Potenza digitale: il modulo UCD3138PSFBEVM-027 consente agli sviluppatori di progettare un’applicazione di convertitore di potenza a 12 V, 360 W, con spostamento di fase offline e controllo digitale.
  • Controllo del punto di carica: la scheda di valutazione TPS40170EVM-597 monta i controller step-down sincroni TPS40170 di TI con due dispositivi NexFET.

Informazioni sui MOSFET di potenza NexFET
La tecnologia dei MOSFET di potenza NexFET migliora l’efficienza energetica nelle applicazioni di calcolo ad alta capacità, networking, apparecchiature industriali e alimentatori. Questi MOSFET di potenza analogici ad alta frequenza e alta efficienza offrono ai progettisti le soluzioni più avanzate attualmente disponibili per la conversione di potenza CC/CC.

Disponibilità e prezzi
I dispositivi a canale N CSD19506KCS e CSD19536KCS sono disponibili in volume tramite TI e la sua rete mondiale di distributori autorizzati. Ciascun articolo viene fornito in un package TO-220 standard a 3 pin con un prezzo di rivendita suggerito di 2,30 $ cad. per il CSD19506 e 2,30 $ cad. per il CSD19536, per quantitativi da 1.000 pezzi. TI propone inoltre FET da 40, 60, 80 e 100 V in package SON da 5×6 mm senza piombo.

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